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NXP Semiconductors
PESD5V0S1BLD
Low capacitance bidirectional ESD protection diode
10 3
001aaa202
1.2
001aaa633
P PP
P PP
P PP(25 ° C)
(W)
0.8
10 2
0.4
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
Fig 4.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 5.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
38
C d
(pF)
001aaa203
10 2
I RM(Tj)
I RM(Tj=85 ° C)
001aaa204
34
10
30
1
26
22
0
1
2
3
4
V R (V)
5
10 ? 1
75
100
125
T j ( ° C)
150
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 7.
Relative variation of reverse leakage current
as a function of junction temperature; typical
values
PESD5V0S1BLD
Product data sheet
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Rev. 1 — 12 October 2010
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